チャージポンプ電源回路の高性能化の検討 - 群馬大学工学部 電気電子

チャージポンプ電源回路の高性能化の検討
High-Efficiency Charge Pump Circuits
松川 朋広
傘昊
名野 隆夫 †
小林 春夫
鈴木 達也 †
吉澤 美香
黒岩 伸幸
女屋 佳隆 †
群馬大学工学部電気電子工学科 〒 376-8515 群馬県桐生市天神町 1-5-1
Tel: 0277-30-1788 Fax: 0277-30-1707 e-mail:k haruo@el.gunma-u.ac.jp
† 三洋電機 (株) セミコンダクターカンパニー 〒 370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田 1-1-1
Tomohiro Matsukawa Hao San
Haruo Kobayashi Mika Yoshizawa
Nobuyuki Kuroiwa
Takao Myono†
Tatsuya Suzuki† Yoshitaka Onaya†
Electronic Engineering Dept., Gunma University,
† Sanyo Electric Co. Ltd.
要約 – 携帯機器に使用するための高効率・低ノイズでコ
プ実現し、その動作を検証した。チャージポンプ回路は
イルを使用いないチャージポンプ電源回路の高性能化に
入力電源電圧より高い電圧を発生するため、シミュレー
向けて次のことを行ったので報告する。
ションだけでなくチップの試作・測定による動作検証は必
(i) 先に提案したブートストラップ・ゲート転送スイッチ
須である。
を用いたチャージポンプ回路構成を 1.2µm CMOS プロセ
スで試作し、そのチップの測定評価を行った。
(ii) [6, 7] で導出したチャージポンプ回路の効率式に基づ
き、負荷電流変動に応じてクロック周波数を自動制御す
(ii) 負荷電流の変動に応じてクロック周波数制御するこ
る機構を設けることで高効率化する方式を提案し、その
とで昇圧型チャージポンプ回路を高効率化する方式を提
回路構成を検討した。
案し、そのクロック周波数制御回路の構成を検討した。
II. ブートストラップ転送スイッチ使用のチャージポンプ
キーワード: チャージポンプ、DC-DC 変換器、電源回路
回路の設計と測定
I. 研究背景
2.1 オリジナル Dickson チャージポンプ回路
近年の携帯電話、PDA、DSC 等の携帯機器では駆動時
図 1 に Dickson により提案されたチャージポンプ回路を
間を延ばすための低消費電力化がますます進んでいく一
示す [1]。ドレインとゲートがダイオード接続された NMOS
方、カメラ付き機能などの高性能化によって、高効率な
電荷転送スイッチ (MD1∼MD5) を通して振幅が電源電圧
高電圧及び低電圧、大電流出力電源の必要性が高まって
いる。これらの要求を満たすためには、ひとつの外部電
源からオンチップで多種類の電源電圧を高効率・低ノイズ
で生成する電源回路が必要となってくる。このためのス
イッチング・レギュレータ回路は高効率であるが、コイル
を必要としスイッチング・ノイズを発生するという問題
がある。一方、チャージポンプ回路は容量とスイッチでオ
ンチップで実現でき、ノイズが小さいというメリットが
ある反面、既存の回路では昇圧効率が悪く電流負荷出力
Vdd である相補的クロック CLK 、CLK(ポンプ・クロッ
ク)により電荷が一つの方向のみ押し出される。カップリ
ング・コンデンサー C1 ∼ C4 の容量の値は等しく C とす
る。電荷が二つのクロック信号の動作により持上げられ、
ダイオード接続 NMOS を通して容量に流れ込み、各ノー
ドを昇圧する。しかしながらこの方式は各電荷転送スイッ
チにおいて NMOS スレショルド電圧分の電圧降下が生じ
昇圧電圧、効率が劣化するという問題点をもっている。
2.2 提案チャージポンプ回路
が低かった。そこで著者らは大電流出力、高効率チャージ
このオリジナルの Dickson チャージポンプ回路の問題
ポンプ電源回路の開発を行った [2]-[4]。ここでは我々の先
を解決するために著者らは [5] でブートストラップ転送ス
の研究 [5]-[7] に基づき、次のような別の観点からチャー
イッチを用いる方式を提案した。ここではその回路に少
ジポンプ電源回路の高性能化に関して検討を行った。
し改良を加えた。その回路は次の特徴を持つ。
(i) [2, 3, 4] では昇圧した内部ノード電位を転送スイッチ
のゲートにフードバックしているが、ここでは [5] で提案
高効率: 提案した回路の出力電圧は、従来式回路に比べ
した容量を用いたブートストラップ方式を改良してチッ
高効率となる。
て少ない段数でより高い電圧を供給する事ができるので、
低電圧動作可能: 提案した回路は Dickson チャージポン
る。一方、電荷転送スイッチ OFF 状態において、CLK
プ回路が動作可能の必要条件 [5] に制限されないため、低
が High で、S4 のゲート電圧がゼロになり、S4 が OFF
電源電圧でも動作する事が可能である。
になる。
なお、使用 CMOS プロセスは N-ウェルプロセスを前
B. 提案回路 2: 図 2 で示す提案回路 1 において、ON 抵
提とする。N-ウェルプロセスは多くのデジタル CMOS プ
抗を小さくするため電荷転送スイッチ M のサイズは他の
ロセスで用いられ、また PMOS の基板電圧を制御する事
MOSFET スイッチに比べて非常に大きいので、そのゲー
が可能なので、高い正の電圧を発生するのに適している。
一方、P-ウェル プロセスは負の電圧を発生するには適し
ている。トリプル-ウェルプロセスは上述した 2 つのプロ
セスより適用幅は広いがコスト高になる。
A. 提案回路 1: 図 2(a) に提案した 4 段チャージポンプ回
路 1 の構成を示す。その動作は以下のようになる。
ト容量 (Cgs , Cgd ) も比較的に大きくなる。従って、次の
ようなそのゲート容量を充放電するためのダイナミック
消費電力を無視する事が出来なくなる。
• ON 状態において、ノード G の電圧が高くなり、ノー
ド G に接続する寄生容量は充電される。
• OFF 状態において、NMOS スイッチ M のゲートが
電荷転送スイッチ M D3 が OFF 状態 (図 2(c)): グランドに接続され、寄生容量に溜まった電荷がグラン
ノード D の電圧が Low の場合、NMOS スイッチ M の
ドに放電される。
ゲートがグランドに接続され、M D3 を OFF する。容量
Cb には Cb Vdd の電荷がチャージされる。
電荷転送スイッチ M D3 が ON 状態 (図 2(d)):
ノード D の電圧が High の場合、M D3 のドレインとゲー
トは Cb の両端に接続され、M のドレイン-ゲート間電圧
は Vdd となり、 M D3 を ON する。
電荷転送スイッチ M D3 が ON 状態のとき、M D3 の
ドレインとゲート間電圧が Vdd であるため、定常状態で
はドレイン-ソース間の電圧ドロップほぼゼロである (図
3(b))。従って、従来式の Dickson チャージポンプ回路に
おけるスレショルド電圧ドロップの問題 (図 3(a)) が解決
される。 また、ダイオード接続された MOS スイッチ (図
3(a)) に比べて提案した回路 (図 3(b)) では電荷転送スイッ
チ M D3 の ON 抵抗が十分に小さくなっている。
図 2(b) に示した提案回路 1 での動作を以下に記す。各
ノードの電位は Vdd 以上になることに注意する必要がある。
• 電荷転送スイッチ OFF 状態において、S1, S3 と S5 が
ON で、S2 と S4 が OFF である。電荷転送スイッチ ON
状態において、S2 と S4 が ON で、S1, S3 と S5 が OFF
である。
この電荷の充放電はエネルギーの浪費(消費電力増加)
だけでなくポンプ・ゲインにも低減させてしまうので、こ
の問題を解決する改良回路を図 4 に提案する。ここでは
電荷転送スイッチ M のゲートをノード A に接続し、その
動作は次のようになる。
• M が ON 状態: S6 と S4 が ON で、S1, S3 と S7 が
OFF である。NMOS スイッチ M の寄生容量 Cgs と Cgd
が充電される。
• M が OFF 状態: S6 と S4 が OFF で、S1, S3 と S7
が ON である。
Cgs と Cgd の電荷に注目すると、NMOS スイッチ M
のゲートはノード A に接続されているので、電荷はグラ
ンドではなく、再び Cb に注入する事になり、電荷を空費
する事が回避される。また、M が OFF 状態のとき M の
ゲート電位はゼロでなく Vdd であるが、ノード D と E の
電圧は Vdd に等しい或いは Vdd より高く、M のゲートソース間電圧がゼロより小さいので M が OFF になる事
が保証される。
2.3 チャージポンプ回路の SPICE シミュレーション
• スイッチ S1 は PMOS デバイスで実現するが、ノード
4 段 Dickson チャージ・ポンプ回路、提案回路 1、提案
A の電圧は電源電圧 Vdd より高くなる場合があるので、S1
のボディをノード A、ゲートをノード G に接続する。電
回路 2 の SPICE シミュレーションを行ない動作を確認し
荷転送スイッチ ON 状態において、CLK が Low で、S2
レーション条件は C=15pF 、Cout =30pF 、f =5M Hz で、
た。図 5 に Vout vs. Iout 特性の比較結果を示す。シミュ
が ON になる。従って、S1 のゲート電圧とソース電圧は
Vdd は 2.0V、2.5V、3.0V である。提案回路 2 の出力電圧
等しくなるので、S1 が OFF になる。一方、電荷転送ス
が最も高い事がわかる。例えば、Vdd =3.0V、Iout =20µA
イッチ OFF 状態において、CLK が High で、S1 のゲー
の場合、Dickson チャージ・ポンプ回路の出力電圧が 6.5V
ト電圧がゼロになり、S1 が ON になる。
であるが、提案回路 1 の出力電圧が 13.1V、提案回路 2 の
• ノード A の電圧は常にノード G の電位より高いので、 出力電圧が 13.4V である。
2.4 提案チャージポンプ回路のレイアウト、チップ実現
PMOS スイッチ S2 のボディはノード A に接続する。
• NMOS スイッチ S4 のゲートをノード G に接続する。
電荷転送スイッチ ON 状態において、CLK が Low で、
提案した回路の動作機能を検証するために、提案回路
1、2 のレイアウト設計を行い、チップ試作を行った。使用
S4 のゲート電圧は VB +Vdd であるので、S4 が ON にな
プロセスは VDEC 経由で Motorola 社が提供する 1.2 µm
CMOS プロセスである。図 6 に提案回路 1、2 のチップ
ている (f := 1/T )。今回提案するのは、負荷電流 Iout の
写真を示す。それぞれの図で上部に 2 個、下部に 3 個の
変動に伴い Iout /f を常に X1 と X2 の間になるようにク
正方形は 2pF のブートストラップ用容量 Cb で、中央部
ロック周波数 f を自動制御し、チャージポンプを常に最
が電荷転送スイッチの NMOS とブートストラップ転送ス
大効率付近で動作させる方式である。例えば、Iout が小
イッチである。また、カップリング容量 C1 − C4 と出力
さいときは f を小さくすることにより Iout /f を一定に保
容量 Cout は外付けとした。
ち、高効率動作範囲で動作させる。
2.5 チャージポンプ回路チップの測定
オリジナルの Dickson チャージポンプ回路と提案回路1
3.2 提案するクロック周波数制御回路の構成と動作
のチップの測定評価を行った。測定機器は、直流電源:AD-
VANTEST 社 R6243、パルス発生器:Agilent 社 81110A
等を使用した。
A. 全体構成: 図 12 に提案するクロック周波数制御回路
の全体図を示す。チャージポンプ出力電流測定回路 (Iout
measurement circuit)、クロック生成回路 (CLK generation circuit) から成る。”Load circuit”は後段の負荷回路
図 7 に入力電圧、クロック振幅 Vdd を変化させたときの
である。Vout はチャージポンプの出力電圧であり、また
Dickson チャージポンプ回路と提案回路 1 の出力電圧の測
後段回路の入力電源電圧でもある。Iout は、後段回路の
定結果を示す。どちらの回路も C=100pF 、Cout =200pF 、
動作状態に伴い変動するが、この Iout を出力電流測定回
Cb =2pF で、クロック周波数は 1M Hz で動作させた。提
路で検出し、次に Iout の変動に伴いチャージポンプのク
案回路 1 のほうがより高く昇圧していることがわかる。例
ロック周波数をクロック生成回路により自動調節する。こ
えば、Vdd =1.0V の場合、Dickson チャージポンプ回路の
のようにすることでチャージポンプの効率を常に最大付
出力電圧は 1.8V であるが、提案回路 1 は 3.6V である。
近で動作させることができる。
図 8 に提案回路 1 のチップの外付け容量の値を変えて出
B. 出力電流測定回路: 図 13 に出力電流測定回路を示す。
力電圧の測定結果を示す。(i) C=100pF , Cout =200pF , (ii)
差動ーシングルエンド変換回路と 2 つのコンパレータか
C=220pF , Cout =470pF , (iii) C=330pF , Cout =680pF の
ら成る。入力 Vim+と Vim-の差である Vim は基準電圧
3 つの場合で測定を行なった。いずれの場合も Cb =2pF で、
Vrh,Vrl(Vrl < Vrh) と比較し、up 信号と down 信号を生
クロック周波数は 1M Hz で動作させた。C 、Cout の容量
成する。例えば、Vim < Vrl のときは、下のコンパレー
を大きくしたほうが昇圧し、より理論値に近づいている
タで検出され down=1 となる。また、Vim > Vrh のとき
ことがわかる。例えば、Vdd =1.0V のとき出力電圧は (i)
は、上のコンパレータで検出され up=1 となる。この up,
の場合は 3.6V 、(ii) はの場合は 4.4V 、(iii) の場合は 4.6V
down 信号をクロック生成回路に入力し、クロック周波数
である。これは容量を大きくすることで寄生容量の影響
を制御する。
が小さくなったためと考えられる。
C. クロック生成回路: 図 14 にクロック生成回路を示す。
III. クロック周波数の自動制御によるチャージポンプ回
制御電圧発生回路と VCO(Voltage Controlled Oscillator)
路の高効率化
から成り、また VCO 回路はリング発振器で構成できる。制
3.1 チャージポンプ回路の理論効率
御電圧発生回路に up,down の信号を入力し制御電圧 Vcnt
図 9 に示す回路の非理想特性 (Vd :スイッチ ON 時の電
を生成する。Vcnt は VCO に入力され、発振周波数 (ク
圧降下、Cp :各ノードの寄生容量、Iout :負荷電流) を考慮
ロック周波数)f を変化される。
した N 段チャージポンプ回路の効率 ηp を次のように導
これらの回路の基本動作を SPICE シミュレーションで
出した [6, 7]。
確認した。
N α + 2(N + 1)(1 + α)βx + 4N x2
(1) IV. まとめと今後の課題
ηp := 1 −
N α + 2γx
(i) ブートストラップ・ゲート転送スイッチを用いたチャー
ジポンプ回路構成を提案し、試作チップの測定評価を行
Vd
T Iout
Cp
,
β :=
x :=
,
α :=
.
CVdd
C
Vdd
なった。Dickson チャージポンプ回路より高く昇圧するこ
ここで、x, α, β, γ は無次元の定数、γ := N + 1 + α、T
とが確認できた。
はクロックの周期である。図 10 に 3 段チャージポンプ回
(ii) 負荷電流の変動に応じてクロック周波数制御すること
路で α = 0.003, 0.02, 0.05, 0.1、β = 0.1 の場合の式 (1) か
で昇圧型チャージポンプ回路を高効率化する方式を提案
ら数値計算した x に対する効率 ηp を示す。
した。また、そのクロック周波数制御回路の構成を検討
図 11 は図 10 を模式的に表わしたものであるが、このグ
ラフで、横軸が [負荷電流 Iout /クロック周波数 f ] となっ
した。
また、今後の大きな研究テーマとして、デジタルのプ
ロセッサの低消費電力化等のために需要の大きい高効率
昇圧型 Dickson チャージポンプ回路では、カップリング
な大電流出力降圧型チャージポンプ電源回路の開発があ
容量を振幅電圧一定の Vdd で駆動しているが、内部ノー
る。付録に取り組んでいる回路トポロジを記す。
ド電圧をフィードバックさせて用いている。
謝辞 本チップ試作は東京大学大規模集積システム設計教
育研究センターを通し オンセミコンダクター(株)、日
本モトローラ (株)、HOYA(株)、および京セラ (株) の協
力で行われた。
参考文献
[1] J. F. Dickson, “On-Chip High-Voltage Generation in
NMOS Integrated Circuits Using an Improved Voltage Multiplier Technique,” IEEE J. Solid-State Circuits,
vol.11, pp.374-378 (June 1976).
[2] T. Myono, S. Kawai, A. Uemoto, T. Iizima, and
H. Kobayashi, “Highly Efficient Charge-Pump Circuits
with Large Output Current Load for Mobile Equipment
Applications, ”IEICE Trans. Electron, vol.E84-C, no.10,
pp.1602-1611 (Oct.2001).
動作を電荷保存則を用いて式で確認すると、図 17 の上
側の状態で次のようになる。
V dd = V 3 − V 1 + V 2,
−V 1 + V 2 = V 0.
一方図 17 の下側の状態で次のようになる。
V 3 = V 2 + V 1,
V 1 = V 0.
定常状態のとき電荷の移動がないので、
V 0 = V 0,
V 1 = V 1,
V 2 = V 2,
V3 = V 3
が成り立つ。これらの式より電源電圧 V dd のとき、
V 0 = V 1 = 14 V dd,
V 2 = 24 V dd,
V 3 = 34 V dd
となる。SPICE シミュレーションにより定常状態での出力
電圧のノイズ、リップルが小さいことが確認できている。
[3] T. Myono,T. Suzuki, A. Uemoto, S. Kawai, T. Iizima, N. Kuroiwa, and H. Kobayashi, “High-Efficiency
Charge-Pump Circuits which use a 0.5Vdd-Step Pumping Method,” IEICE Trans. on Fundamentals, vol. E86A, no. 2, pp.371-380 (Feb. 2003).
[4] T. Myono, Y. Onaya, K. Kashiwase, H. Kobayashi, T.
Nishi, K. Kobayashi, T. Suzuki, K. Henmi, “Reducing
Startup-time Inrush Current in Charge Pump Circuits, ”
IEICE Trans. on Fundamentals, E87-A, no. 4, (April.
2004).
Fig.1: 4 段 Dickson チャージポンプ回路 [1] .
[5] H. San, H. Kobayashi, T. Myono, T. Iijima and
N. Kuroiwa, “Highly-Efficient Low-Voltage-Operation
Charge Pump Circuits Using Bootstrapped Gate Transfer Switches”, 電気学会論文誌 C(電子・情報・システム
部門誌), vol.120-C, No.10, pp.1339-1345 (Oct. 2000).
[6] K. Kashiwase, H. Kobayashi, N. Kuroiwa, N. Hayasaka,
S. Inaba, T. Myono, T. Suzuki, T. Iijima, S. Kawai, “Dynamics of Parallel-Type and Serial-Type Charge Pump
Circuits for High Voltage Generation ”, 2002 IEEJ International Analog VLSI Workshop, pp.14-19, Singapore
(Sept. 2002).
[7] K. Kashiwase, H. Kobayashi, N. Kuroiwa, N. Hayasaka,
T. Myono, T. Suzuki, T. Iijima, S. Kawai, “Dynamics
of Dickson Charge Pump Circuit, ”第 15 回 回路とシス
テム(軽井沢)ワークショップ, pp.375-380 (April 2002).
[8] J. T. Wu and K. L. Chang, “MOS Charge Pumps for
Low-Voltage Operation,” IEEE J. Solid-State Circuits,
vol.33, no.4, pp.592-597 (April 1998).
Fig.2: 提案チャージポンプ回路 1. (a) 全体の回路図 (4 段の場
合). (b) ブートストラップ・ゲート転送スイッチ. (c) スイッチ
OFF 状態. (d) スイッチ ON 状態.
付録: 降圧型 Dickson チャージポンプ回路
Dickson 型での降圧チャージポンプ回路の構成を提案
する。図 16 に提案する降圧型 Dickson チャージポンプ回
路の構成、図 17 にその動作を示す。この回路は入力電圧
Vdd から Vdd/4 を生成・出力する回路である。従来のス
イッチド・キャパシタ型降圧回路と同様に CMOS スイッチ
の切り替えによって動作する。クロック信号により CMOS
スイッチを on・off し、定常状態でノード 6 は 3Vdd/4、 Fig.3: 転送スイッチの ON 状態特性. (a) Dickson チャージポ
ノード 4 は 2Vdd/4、ノード 1, 2 は Vdd/4 に降圧する。
ンプ回路. (b) 提案するチャージポンプ回路.
Output voltage[V]
16
Proposed circuit
C1-C5=100pF,Cout=220pF
Dickson Charge Pump C1-C5=100pF,Cout=220pF
14
12
10
8
6
4
2
0
0.5
2
2.5
1.5
Input voltage[V]
1
3.5
3
Fig.7: 4 段 Dickson チャージポンプ回路と提案回路 1 の入力電
圧 Vdd に対する出力電圧 Vout の測定結果.
Proposed circuit C1-C5=330pF,Cout=680pF
Proposed circuit C1-C5=220pF,Cout=470pF
Proposed circuit C1-C5=100pF,Cout=220pF
16
Output voltage[V]
14
Fig.4: 提案チャージポンプ回路 2. 電荷転送スイッチ M のゲー
トへの電荷の充放電のロスが少ない構成である.
12
10
8
6
4
2
0
0.5
1
2
1.5
2.5
Input voltage[V]
3
3.5
Fig.8: 様々なポンプ容量 C 、出力容量 Cout 値に対する提案回
路 1 の入力電圧 Vdd に対する出力電圧 Vout の測定結果.
µ
Vd
Cp
Vdd
µ
Vd
V1
Cp
C
clk
V0
Cp
C
clk
Iout
Cp
C
C
clk
Fig.9: 回路の非理想特性(スイッチの電圧ドロップ Vd 、出力
µ
Fig.5: Vout vs. Iout 特性の SPICE シミュレーション比較結果.
電流 Iout 、寄生容量 Cp )を考慮した Dickson チャージポンプ
回路.
(a) Dickson チャージ・ポンプ回路. (b) 提案回路 1. (c) 提案回
路 2.
100
90
efficiency [%]
80
70
60
50
40
30
(Ǫ= 0.1)
20
ǩ=0.003
ǩ=0.02
ǩ=0.05
ǩ=0.1
10
0
0
0.05
0.1
x
0.15
0.2
Fig.10: 図 9 に示した 3 段 Dickson チャージポンプ回路の理論
Fig.6: 提案チャージポンプ回路 1(左) と回路 2(右) のチップ写真.
効率. 式 (1) から数値計算で得た.
V ICNTp
efficiency[%]
efficiency [%]
100
80
T
T
60
V ICNTn
40
T
1
2
T
ǩ=0.003
ǩ=0.003
ǩ=0.02
ǩ=0.02
ǩ=0.05
ǩ=0.05
ǩ=0.1
ǩ=0.1
20
0
2n+1
2n
0.1 x
0.05
0.15
(a)
0.2
Vin
0
g(Iout/f)
X2
T
Vdd
V ICNTp
V ICNTp
X1
T
3
(Ǫ= 0.1)
Vp
Vout
Vin
V ICNTn
Vout
V ICNTn
Vn
(b)
Fig.11: Dickson チャージポンプ回路の理論効率の模式図.
(c)
X1 < (Iout/f) < X2 になるようにクロック周波数を制御する.
Fig.15: (a) リング発振器の全体図. (b) インバータのブロック
Vdd
input
power supply
CLK
(f)
Iout
Vout
Charge
Pump
R
CLK
(f)
V Im+
図. (c) インバータ回路. バイアス電圧 VICNTp , VICNTn でイ
Load
Circuit
ンバータ回路の遅延時間が制御される。
V ImCLK
CLK
Generation
Circuit
CLK
up
down
6
Iout
Measurement
Circuit
C
4
2
1 Vout
C
C
C
Vdd
Fig.12: 提案するクロック周波数を自動制御する回路の全体図.
V Im+
V Im-
down
Differential
Amplifier
V Im+
up
Iout
Measurement
Circuit
+
-
Vrh
up
f
Fig.16: 提案降圧型 Dickson チャージポンプ回路の構成.
comparator
+
-
VIm-
A
comparator
V Im
Vrl
+
-
f
down
V0
Vdd
C2
C3
V2
V3
V1
C0
C1
Fig.13: 出力電流測定回路全体図.
up
CLK
CLK
Generation
Circuit
down
CLK
up
Controlled
Voltage
Generation
Circuit
down
CLK
V CNT
Vdd
VCO
CLK
Vdd
Ip
C2
C3
V3
V2
C1
V1
V0
C0
(a)
V ICNTp
up
V1
V CNT
C
R1
T
V2
T
V3
T
V4
T
V5
CLK
T
Vr
In
Ib
Ib
Vss
V ICNTn
(b)
Fig.14: (a) クロック生成回路ブロック図. (b) クロック生成回
路図.
Fig.17: 提案降圧型 Dickson チャージポンプ回路の動作. 上図
と下図の状態をクロックの High, Low に応じて繰り返す.
down